陕西学林2023~2024学年度九年级第一学期第一次阶段性作业 物理试题

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10、2024学林试题答案九年级

14.半导体芯片制造中，常通过离子注入进行掺杂来改变材料的导电性能。下图是离子注人的工作原理示意图，离子经电场加速后沿水方向进入速度选择器，通过速度选择器的离子经过磁分析器和偏转系统，注人水面内的晶圆（硅片）。速度选择器中的电场强度的大小为E、方向竖直向上。速度选择器、磁分析器中的磁感应强度方向均垂直纸面向外，大小分别为B1、B2。偏转系统根据需要加合适的电场或者磁场。磁分析器截面的内外半径分别为R1和R2,入口端面竖直，出口端面水，两端中心位置M和N处各有一个小孔；偏转系统下边缘与晶圆所在水面行，当偏转系统不加电场及磁场时，离子恰好竖直注入到晶圆上的O点（即图中坐标原点）。整个系统置于真空中，不计离子重力及其进入加速电场的初速度。加速电场。磁分析器●离子源·R2速度选择器●R偏转系统O:了晶圆所在水面下列说法正确的是A.可以利用此系统给晶圆同时注入带正电离子和带负电的离子B.从磁分析器下端孔N离开的离子，其比荷为B,B,(R+R)2EC.如果偏转系统只加沿x轴正方向的磁场，则离子会注入到x轴正方向的晶圆上D.只增大加速电场的电压，可使同种离子注入到晶圆更深处高三物理第5页（共11页）