金科大联考·2023-2024学年高二上学期9月月考(24057B)化学试题

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1、2024到2024学年金科大联考高32月质量检测
2、20242024学年金科大联考
3、2023-2024金科大联考高三十月
4、金科大联考高三5月质量检测2024
5、2023-2024金科大联考高三十月
6、2023-2024学年金科大联考高三3月
7、2023-2024金科大联考十二月
8、金科大联考2024年高三3月
9、2024金科大联考高三12月
10、2023-2024学年金科大联考高三三月质量检测

请结合上述信息，以除碘并煮沸后的水层为原料，完成制取Ca(1O,),的实验方案：1,向水层中加入Ca(O,粉未，边加边搅排室溶液p约为7（或至中性），过滤，洗涤，i.至向川，为获得无水碘酸钙，将滤渣不再有沉淀产生（填检验沉淀洗净的操作和试剂）；(4)测定产品纯度。(0.5000g产品，酸化溶解，配成250mL溶液，取25.00mL上述溶液于锥形瓶中，加人足量的1溶液充分反应，用00000疏代微酸的落液商定，消耗300mL硫代硫酸钠溶液，试求该产品的纯度(已知：2Na,S,O,+12-Na,S,O6+2NaI)。(仁)选考题：共15分。请考生从给出的两道题中任选一题作答。如果多做，则按所做的第一题计分。18.[选修3：物质结构与性质](15分)GaN是研制微电子器件、光电子器件的第三代半导体材料。(1)基态Ga的核外电子排布为[Ar]3°4g4p,转化为下列激发态时所需能量最少的是(填标号)。A[A苗出4pB.[AE图省品3d4s3dC.[Ar]EaHH首ETI4s4卫3dD.[AEH☐(2)与镓同主族的B具有缺电子性，硼氢化钠(NaBH)是有机合OH成中重要的还原剂，其阴离子BH,的立体构型为另一种含硼的阴离子B,O(OH)4]?的结构如图所示，其中HO-B原子的杂化方式为(3)GaN、GaP氨GAs熔融状态均不导电，据此判断它们是OH慎“共价惑“离子”)化合物。它们的晶体结构与金刚石相似，其熔点如下表所示，试分析GaN,GaP,GaAs熔点依次降低的原因：物质GaNGaPGaAs熔点/℃170014801238(4)GaAs的晶胞结构如图甲所示，将Mn掺杂到GaAs的晶体中得到稀磁性半导体材料如图乙所示。MnMn掺杂OGa●Mn甲①图甲中，GaAs的相对分子质量为M,晶体密度为pg·cm3,Na表示阿伏加德罗常数的值，则晶胞中距离最近的两个Ga原子间距离为nm(列出计算式)。②图乙中掺杂Mn之后，晶体中Mn、Ga、As的原子个数比为化学试题（雅礼版）第7页（共8页）